Epitaksi er orientert overvekst av et énkrystallinsk materiale på et annet enkrystallinsk materiale (substrat). Atomarrangementene til de to materialene må ligne på hverandre. Substratet kan enten være av samme materiale som belegget (autoepitaksi) eller av et annet materiale (heteroepitaksi).
Utnyttelse av epitaksiske forhold har fått praktisk betydning ved fremstilling av halvledere. Belegget kan lages ved hjelp av gassfasereaksjoner, vakuumpåleggingsmetoder (pådamping, katodeforstøvning), vekst fra smelter og ved elektrolytiske metoder.
En moderne spesialmetode for formålet er MBE.
Kommentarer
Kommentarer til artikkelen blir synlig for alle. Ikke skriv inn sensitive opplysninger, for eksempel helseopplysninger. Fagansvarlig eller redaktør svarer når de kan. Det kan ta tid før du får svar.
Du må være logget inn for å kommentere.