(av epi- og gr. 'ordning'), orientert overvekst. Kjemisk sett kan epitaksi defineres som vekst av et énkrystallinsk materiale på et annet enkrystallinsk materiale (substrat). Atomarrangementene til de to materialene er sterkt relatert med henblikk på orientering og bindingsavstander. Substratet kan enten være av samme materiale som belegget (autoepitaksi) eller av et annet materiale (heteroepitaksi).

Utnyttelse av epitaksiske forhold har fått stor praktisk betydning ved fremstilling av halvlederkomponenter. Belegget kan lages ved hjelp av gassfasereaksjoner, vakuumpåleggingsmetoder (pådamping, katodeforstøvning), vekst fra smelter samt ved elektrolytiske metoder. En moderne spesialmetode for formålet er f.eks. MBE, Molecular Beam Epitaxi.

Foreslå endringer i tekst

Foreslå bilder til artikkelen

Kommentarer

Har du spørsmål til artikkelen? Skriv her, så får du svar fra fagansvarlig eller redaktør.

Du må være logget inn for å kommentere.