En IB-solcelle består, i likhet med en konvensjonell solcelle, av en halvlederdiode mellom to elektroder. I tillegg har den et mellomliggende bånd i energigapet, ofte dopet inn. Doping er å tilsette kontrollert små mengder av et stoff i halvledermaterialet. Dette øker effektiviteten fordi solcellen kan absorbere flere lavenergetiske fotoner. Det mellomliggende nivået består oftest av et annet materiale enn resten av solcellen.
Energigapet skiller valensbåndet fra ledningsbåndet. I ledningsbåndet ledes elektroner med høy energi som er løsrevet fra sitt enkle atom, men fortsatt fanget i halvlederen. I valensbåndet ledes såkalte positive «hull», eller mangel på elektroner, som hopper fra atom til atom.
For at en halvleder skal lede strøm, må et elektron i valensbåndet tilføres nok energi til at det kan «hoppe» over til ledningsbåndet. Med et mellomliggende båndgap vil elektronene som ikke er tilført tilstrekkelig energi, hoppe opp til det mellomliggende energibåndet og videre til ledningsbåndet gjennom absorpsjon av to fotoner. Denne energien tilføres til solcellen i form av fotoner i solstrålingen. Dette gjør at man kan utnytte de deler av solstrålingen som ikke er energirike nok til å eksitere elektroner direkte fra valensbåndet til ledningsbåndet, og dermed øker effektiviteten.
Kommentarer
Kommentarer til artikkelen blir synlig for alle. Ikke skriv inn sensitive opplysninger, for eksempel helseopplysninger. Fagansvarlig eller redaktør svarer når de kan. Det kan ta tid før du får svar.
Du må være logget inn for å kommentere.