Doping er en betegnelse for tilsetting av små mengder fremmedstoff til rene materialer for å endre materialenes egenskaper.

Ved fremstilling av elektroniske halvlederkomponenter benyttes doping for å endre halvledernes galvaniske, elektro-termiske og elektro-optiske egenskaper. Små tilsetninger av bestemte fremmedstoff til en ren halvleder fører til økning i konsentrasjonen av bevegelige ladningsbærere, og dermed større elektrisk ledningsevne (konduktans).

Det skilles mellom doping i form av donorer og akseptorer som gir negative (elektroner) eller positive (elektronhull) ladningsbærere, kalt n- og p-doping. Dette utnyttes for eksempel ved produksjon av dioder og transistorer. Enkelte legerte halvledere vil ved egnet doping gi store termo-elektriske spenninger. Dette kan utnyttes for temperaturfølere og termoelektriske kjøleelementer. Dopede halvledere brukes også til foto-spenningsceller (solceller) og foto-motstandselementer.

Foreslå endringer i tekst

Foreslå bilder til artikkelen

Kommentarer

Har du spørsmål om eller kommentarer til artikkelen?

Kommentaren din vil bli publisert under artikkelen, og fagansvarlig eller redaktør vil svare når de har mulighet.

Du må være logget inn for å kommentere.