Sterk lokalisering, også kalt Anderson lokalisering, er et kvantefysisk fenomen som forårsaker en sterk økning i den elektriske motstanden til et system på grunn av uorden, for eksempel i form av urenheter i systemet. Fenomenet inntreffer hovedsakelig i metaller og halvledere og kan i ytterste konsekvens gi opphav til fullstendig isolerende oppførsel.

Opphavet til sterk lokalisering er, i likhet med dens forløper svak lokalisering, interferens i bølgen som beskriver elektroner i systemet. Når graden av uorden blir høy, for eksempel konsentrasjonen av urenheter i systemet, spres elektronene hyppig og interferensen forårsaker en overgang fra et ledende system til et isolerende system. Sterk lokalisering blir mer fremtredende etterhvert som systemstørrelsen øker, siden den konstruktive interferensen til elektronbølgen ved tilbakespredning blir mer effektiv (se figur og beskrivelse i svak lokalisering). Dette skyldes at slik tilbakespredning kan skje gjentatte ganger, i motsetning til i mindre systemer. Elektronene blir dermed mer og mer lokaliserte og kan ikke lengre transportere elektrisk strøm, hvilket til slutt gir opphav til isolerende oppførsel i materialet.

Et kvantitativt mål for når lokalisering inntreffer er at utstrekningen L til systemet blir sammenliknbar i størrelse med produktet lN hvor l er avstanden elektroner kan propagere uten å spres mens N er antall elektronkanaler som kan bære strøm i systemet.

Bernhard Kramer and Angus MacKinnon. Localization: theory and experiment. Reports on Progress in Physics, Volume 56, Number 12 (1993).

Foreslå endringer i tekst

Foreslå bilder til artikkelen

Kommentarer

Har du spørsmål om eller kommentarer til artikkelen?

Kommentaren din vil bli publisert under artikkelen, og fagansvarlig eller redaktør vil svare når de har mulighet.

Du må være logget inn for å kommentere.