En CMOS-krets består av mos-transistorer. Inngangen til en slik transistor kan modelleres som en kondensator som ikke trekker statisk strøm. Den tar bare imot ladning når den lades opp, og avgir ladning når den lades ut. Derfor bruker den i utgangspunktet bare effekt når utgangen skifter verdi og endrer spenningen på neste inngang. Dette kalles dynamisk effekt.
I tillegg vil det være noe lekkasjestrøm i statisk tilstand, som er opphavet til den statiske effekten som brukes.
Summen av dynamisk og statisk effekt er totaleffekten som kretsen bruker. Denne omdannes til varme og må ledes bort. CMOS-kretser bruker lite dynamisk effekt og den statiske effekten er ofte av samme størrelsesorden som den dynamiske.
Den dynamiske effekten er proporsjonal med frekvensen og kvadratisk avhengig av spenningen:
Pdyn = f · Cinn · VDD2
Den statiske effekten er lineært avhengig av strøm og spenning, der IDDQ er tomgangsstrømmen:
Pstat = IDDQ · VDD
Totaleffekten som forbrukes i en CMOS-krets er:
Ptot = Pdyn + Pstat
Kommentarer
Kommentarer til artikkelen blir synlig for alle. Ikke skriv inn sensitive opplysninger, for eksempel helseopplysninger. Fagansvarlig eller redaktør svarer når de kan. Det kan ta tid før du får svar.
Du må være logget inn for å kommentere.