GaAs, en halvleder som alene eller sammen med aluminiumarsenid AlAs3, brukes som materiale i bl.a. lasere og lysemitterende dioder. Galliumarsenid har lenge blitt betraktet som et alternativ til silisium som grunnmateriale for fremstilling av mikroprosessorer, hukommelsesbrikker o.a. Elektronene beveger seg raskere i galliumarsenid enn i silisium, og GaAs-baserte kretser vil derfor kunne være 2–3 ganger raskere. Materialet er imidlertid vanskelig å fremstille og dermed dyrere enn silisium. GaAs-baserte kretser benyttes derfor stort sett bare i forsvarsrelaterte systemer. Se også halvleder.

Foreslå endringer i tekst

Foreslå bilder til artikkelen

Kommentarer

Har du spørsmål om eller kommentarer til artikkelen?

Kommentaren din vil bli publisert under artikkelen, og fagansvarlig eller redaktør vil svare når de har mulighet.

Du må være logget inn for å kommentere.