GaAs, en halvleder som alene eller sammen med aluminiumarsenid AlAs3, brukes som materiale i bl.a. lasere og lysemitterende dioder. Galliumarsenid har lenge blitt betraktet som et alternativ til silisium som grunnmateriale for fremstilling av mikroprosessorer, hukommelsesbrikker o.a. Elektronene beveger seg raskere i galliumarsenid enn i silisium, og GaAs-baserte kretser vil derfor kunne være 2–3 ganger raskere. Materialet er imidlertid vanskelig å fremstille og dermed dyrere enn silisium. GaAs-baserte kretser benyttes derfor stort sett bare i forsvarsrelaterte systemer. Se også halvleder.

Foreslå endringer i tekst

Foreslå bilder til artikkelen

Kommentarer

Har du spørsmål til artikkelen? Skriv her, så får du svar fra fagansvarlig eller redaktør.

Du må være logget inn for å kommentere.