Betegnelse for tilsetting av små mengder fremmedstoff til rene materialer for å endre materialenes egenskaper. Ved fremstilling av elektroniske halvlederkomponenter benyttes doping for å endre halvledernes galvaniske, elektro-termiske og elektro-optiske egenskaper. Små tilsetninger av bestemte fremmedstoff til en ren halvleder fører til økning i konsentrasjonen av bevegelige ladningsbærere, og dermed større elektrisk ledningsevne (konduktans). Det skilles mellom doping i form av donorer og akseptorer som gir negative (elektroner) eller positive (hull) ladningsbærere, n- og p-doping. Dette utnyttes f.eks. ved produksjon av dioder og transistorer. Enkelte legerte halvledere vil ved egnet doping gi store termo-elektriske spenninger. Dette kan utnyttes for temperaturfølere og termoelektriske kjøle-elementer. Dopede halvledere brukes også til foto-spenningsceller (solceller) og foto-motstandselementer. Se også halvledere, donor – kjemi.

Foreslå endringer i tekst

Foreslå bilder til artikkelen

Kommentarer

Har du spørsmål til artikkelen? Skriv her, så får du svar fra fagansvarlig eller redaktør.

Du må være logget inn for å kommentere.