Halvledere. a) Plant skjema over atomene i en silisiumkrystall. De fire valenselektronene til hvert atom er tegnet som svarte prikker i en stiplet sirkel, de øvrige elektronene og kjernen tenkes samlet i den blå sirkelen i midten. b) Silisiumkrystallen ved høyere temperatur. Et elektron har forlatt sin plass så det er oppstått et såkalt hull, men dette fylles snart av et elektron som kommer fra et annet sted. c) Silisiumkrystall tilført litt av grunnstoffet arsen. Arsenatomet har fem valenselektroner, men bare fire inngår i krystallgitteret. Det femte elektronet er her så løst bundet til sitt atom at selv små elektriske spenninger kan flytte på det. Krystallen er en n-type-halvleder. d) Silisiumkrystall tilført litt av grunnstoffet bor. Boratomet har bare tre valenselektroner og dermed ett for lite til gitterbindinger. Rundt hvert boratom blir det altså et positivt hull. Legger vi en elektrisk spenning over krystallen, med positiv pol på venstre side, vil et elektron i naboatomet til høyre «hoppe» ned i hullet, men samtidig blir det et nytt hull der elektronet var. Slik fortsetter det gjennom hele krystallen. Hullene flytter seg i strømmens retning som om de skulle være positive ladninger. Denne krystallen er en p-type-halvleder.